高级CVD研发工程师

岗位职责 1. 负责12寸硅基OLED显示器件中阳极薄膜（如金属反射电极、PDL隔离结构）的新工艺开发、导入与优化； 2. 主导阳极薄膜的沉积工艺实验设计 (DOE)，优化薄膜的电学特性（方阻）、光学特性（透过率/反射率）及表面形貌; 3. 解决阳极薄膜工艺在量产导入过程中出现的各类异常问题，提升工艺稳定性与良率; 4. 与整合、刻蚀、测试等团队紧密合作，确保阳极薄膜工艺与后续工艺的兼容性; 5. 编写工艺规范、操作指导书及技术报告，完成新工艺开发与量产转移。 任职要求 1. 本科及以上学历，材料、物理、微电子、化学工程等相关专业； 2. 本科8年或者硕士5年以上半导体或显示行业薄膜工艺 (Sputter/PECVD) 相关工作经验，有12寸晶圆厂经验者优先； 3. 熟悉薄膜沉积原理，具备扎实的薄膜材料表征分析能力； 4. 具备较强的数据分析能力和问题解决能力，能熟练使用JMP或Minitab等软件进行DOE设计和结果分析； 5. 工作严谨，良好的团队合作精神和沟通能力。