产品良率提升主任工程师(FT方向)
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长鑫存储技术有限公司上海-闵行区, 中国¥35,000 - ¥60,000 /月2周前截至 2026/12/12
职位描述
职责描述: 1.FT测试架构开发: 主导开发后端测试方法,构建完善的DRAM芯片测试架构,保障FT测试通过的颗粒在客户端满足品质要求; 2.良率分析与失效定位: 利用FT数据挖掘技术对良率进行系统分析及失效分析,识别根本原因并驱动改善,持续提升产品良率; 3.测试程序优化与效率提升: 主导FT测试程序的优化,驱动流程改进与测试时间缩减,持续提升测试效率并降低测试成本; 4.封装协同与产品规划: 基于封装相关知识,与对外合作方高效协同,协同市场部门完成产品产出规划,保障项目进度与供应需求对齐; 任职要求: 1.教育背景与专业知识: 具备模拟/混合信号电路设计验证能力,能分析常用模拟模块(Bandgap、LDO、PUMP、ADC等)的工作原理与验证要点; 2.专业技能与资格: 能使用CP测试流程完成芯片验证,能开发与调试测试Pattern,能使用常用失效分析手段独立完成产品失效根因分析; 3.行业与专业经验: 能基于器件特性分析工艺与物性对电路的影响,能使用功耗分析流程与工具(如Power Rail、IR drop等)完成功耗评估,具有功耗优化项目经验; 4.其他要求: 具有跨团队协作能力,能协同设计、测试与产品团队驱动流程优化与问题闭环。
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10年以上
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