激光二部研发资深主管工程师(J10258)

职责描述： 1. 主导InP芯片前端工艺开发，包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等关键工艺模块的可行性评估与参数优化； 2. 协同客户设计团队完成工艺设计套件（PDK）定制，解决设计与工艺的兼容性问题（如材料应力匹配、热预算控制等）； 3. 负责工厂工艺流片全程跟进，主导晶圆级测试、失效分析及良率提升，输出工艺窗口优化方案； 4. 管理团队完善技术对接机制，管理工艺变更风险并推动量产问题闭环。 任职要求： 1. 物理、化学、材料、数学、半导体工艺等相关专业硕士及以上学历； 2. 有InP基半导体工艺制程经验优先； 3. 熟悉半导体制造核心工艺（光刻、干法刻蚀、PECVD/MOCVD等）及表征手段（SEM、AFM、XRD等）； 4. 熟悉代工厂工艺节点特性，能结合设计需求定制工艺规则（Design Rule）； 5. 掌握良率分析工具（JMP/JMP）及统计过程控制（SPC）方法； 6. 具备跨部门协作能力，能将设计指标转化为可量产的工艺参数； 7. 对工艺异常（如颗粒污染、金属迁移）有快速定位及解决经验； 8. 杰出的学习能力、问题解决能力、问题分析能力。