激光二部研发高级工程师(J10259)

职责描述： 1. 参与InP芯片前端工艺开发，包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等关键工艺模块的可行性评估与参数优化； 2. 协同客户设计团队完成工艺设计套件（PDK）定制； 3. 准确定义工艺关键尺寸规格，解决设计与工艺的兼容性问题（如材料应力匹配、热预算控制等）； 4. 协助团队完成研发到量产导入，协助MES flow、data sheet 等项目文件制定。 任职要求： 1. 半导体工艺等相关专业本科及以上学历； 2. 有FAB PIE及量产经验优先，有InP基半导体工艺制程经验优先； 3. 熟悉半导体制造核心工艺（光刻、干法刻蚀、PECVD/MOCVD等）及表征手段（SEM、AFM、XRD等）； 4. 熟悉代工厂工艺节点特性，能结合各类工艺需求判断合理工程时间窗口，并制定计划； 5. 具备跨部门协作能力； 6. 能积极应对各种研发问题并促成决策执行； 7. 杰出的学习能力、问题解决能力、问题分析能力。