资深硅电容器件设计工程师(J11919)

职责描述： 负责高性能硅基无源电容的结构设计与工程验证，围绕容值密 度、低寄生、小型化及可靠性要求推动器件迭代。 1. 设计电容单元、三维结构、阵列及端接，明确关键几何参 数、介质与电极体系。 2. 分析结构、材料和工艺偏差对容值、漏电、耐压及寄生参 数的影响，形成优化方案。 3. 与工艺整合团队评估可制造性，共同确定设计规则、关键 工艺容差及试制方案。 4. 完成或牵头器件建模与参数分析，审核模型假设、版图及 测试结构，并开展设计评审。 5. 参与试制和电性验证，定位样片及可靠性异常，根据实测 结果修正设计并完善规范。 任职要求： 任职要求： 1. 具备深沟槽／三维硅电容本体研发经验，承 担过结构、介质与电极、阵列或端接设计。 2. 至少完成一项覆盖设计、试制或流片协同、 电性测试分析及问题修正的相关项目。 3. 能结合项目说明关键参数选择，以及电性 能、可靠性、制造难度和成本之间的取舍。 4. 理解工艺链路，具备建模判断、参数分析与 版图审核能力，使用适合任务的设计工具。 微电子、电子科学、材料、物理等专业，硕士优 先。5年以上相关研发经验优先。