光刻资深，主任工程师

一、工作职责 1. 光刻工艺整体技术负责 主导芯片光刻（黄光）全流程开发、DOE实验、工艺验证、研发→试产→量产转移；重点负责光栅层、脊波导、台面、电极窗口等核心层光刻工艺，管控CD、套刻精度、图形轮廓、缺陷、均匀性等关键指标，持续拓宽工艺窗口，提升良率与Cpk，降低制程波动。 2. 重大技术攻关与量产问题解决 牵头处理量产端光刻重大异常：CD偏移、套刻偏差、光刻胶残留、针孔、颗粒缺陷、图形畸变等；联动PIE、刻蚀、薄膜、外延、质量、设备团队做根因分析，制定长期改善方案，推动闭环落地。 3. 新工艺、新材料、新设备评估导入 调研行业光刻技术路线，评估光刻机、光刻胶、显影液、底涂等材料/设备选型；制定验证方案、验收标准，完成新材料、新机台、新工艺的评估、导入与国产化替代可行性论证；同步建立光刻工艺规范、SOP、检验标准、FMEA。 4. 项目管理与技术文档体系建设 承接光芯片新品项目光刻模块任务，制定项目计划、风险识别、技术评审；负责工艺数据库、实验报告、工艺手册、变更记录管理；主导光刻工艺变更（ECN）评审，管控工艺变更风险。 5. 团队管理与人才培养 带领光刻工艺工程师小组，分配工作任务、技术指导、绩效跟进；搭建光刻技能培训体系，培养骨干工程师；组织内部技术复盘、技术分享，沉淀模块知识库。 6. 供应链与跨部门协同 对接光刻材料、设备供应商，开展联合开发、故障联合分析；协同器件设计、版图团队，评估光刻工艺能力边界，给出版图DFM建议；对接质量、生产推进良率提升、可靠性验证。 7. 技术预研与专利 跟踪硅光、化合物光芯片微纳光刻前沿技术，开展前瞻性工艺预研；撰写技术专利、技术方案，构建光刻模块技术壁垒。 二、任职资格 硕士及以上学历，微电子、半导体物理、光学工程、光电信息、材料科学与工程等相关专业；博士优先。 核心经验要求 1. 8年及以上光芯片/化合物半导体光刻（黄光）工艺开发经验，至少3年光刻模块负责人/主任工程师管理经验；有InP/GaAs DFB、EML、VCSEL、PD/APD光通信芯片光刻完整开发转量产经验；熟悉光栅光刻工艺者优先；硅光光刻背景也可酌情考虑，但需有化合物半导体经验加分。 2. 精通光刻完整流程：涂胶、软烘、曝光、显影、硬烘、底膜处理；熟练CD、套刻、形貌、缺陷量测分析，熟练DOE、SPC统计分析方法，能独立设计实验、数据分析与工艺建模。 3. 熟悉光芯片器件原理，理解光刻工艺对外延、刻蚀、器件光电性能的影响；熟悉黄光常见失效模式、缺陷根因分析方法。 4. 熟悉光刻设备（接触式/接近式/步进光刻机）、光刻胶体系、耗材特性；熟悉洁净室、半导体质量体系（ISO）、工艺变更管控流程。 ### 能力素质 1. 具备独立技术攻关能力，能解决光栅、波导等高分辨率光刻难点；具备项目统筹、跨部门推动能力。 2. 良好团队管理、技术指导能力，可带领小组完成多项目并行交付。 3. 较强英文读写能力，可阅读技术手册、供应商资料；熟练撰写工艺方案、技术报告。 4. 具备良好沟通能力，逻辑清晰，抗压能力强。 优先加分项 - 有光芯片光刻良率提升量产落地案例； - 有电子束光刻EBL、薄胶/厚胶光刻、纳米光栅工艺开发经验； - 有国产化光刻胶/设备评估导入经验； - 持有光刻相关发明专利。