光刻工艺研发工程师

岗位职责： 1.光刻工艺实验设计与优化： 设计并执行光刻工艺实验（涂胶、曝光、显影等），引入新材料或优化参数，提升分辨率、覆盖精度和工艺良率； 2.缺陷分析与根因排查： 分析光刻过程中的缺陷和异常（如CD均匀性、套刻精度问题），使用思维导图、DOE等工具进行根因分析，提出并验证改进方案； 3.新材料评估与成本优化： 根据工艺路线需求，主导新材料的引入与验证，在提升工艺能力的同时降低制造成本； 4.光刻设备操作与维护协作： 操作和维护光刻设备（如ASML光刻机），确保设备高效稳定运行，并与设备供应商协作推动技术升级； 5.数据分析与报告输出： 收集并整理实验数据，使用Python、JMP等工具进行数据分析，生成实验报告以支撑工艺验证与技术决策； 6.跨部门协同与技术转移： 与工艺整合、良率工程、设备工程等团队紧密协作，推动新工艺从研发阶段平稳转移至量产线； 7.技术跟踪与创新贡献： 跟踪行业前沿光刻技术（如DUV、多重曝光方案），参与内部研发项目，输出创新想法并推动验证。 岗位要求： 1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，半导体物理、微电子、材料科学或光学相关专业，博士学历优先； 2.专业技能与资格：能使用MATLAB或Python完成光刻实验数据的建模与分析，能独立使用半导体检测设备进行工艺监控，具备流利的英语读写能力，能阅读技术文档和专利； 3.行业与专业经验：具备1年以上半导体光刻工艺研发经验，有ASML或Nikon等光刻设备操作经验； 4.项目/任务成果：主导过至少2个光刻工艺优化或新材料验证项目，独立解决过CD均匀性、套刻精度或良率相关的工艺异常问题； 5.其他要求：具有主动分析并解决复杂工艺问题的能力，学习意愿强，能在多项目并行环境下高效推动任务闭环。