硅电容仿真与设计优化专家

岗位介绍: 我们聚焦硅基集成无源器件、硅电容芯片研发，面向大算力 AI、高速光收发、毫米波高频场景，开展芯片微观结构设计、多物理场仿真、3D 互连系统级仿真，完成从芯片本征设计到系统信号完整性的全链条仿真优化，支撑产品流片与量产落地。 岗位职责: 1. 负责超高频、高密度硅电容芯片微观结构（深沟槽 Trench、MIM 叠层、高密度孔阵列）拓扑设计与微观电磁场仿真，评估介质厚度、沟槽深宽比等关键参数，提升单位面积电容密度，降低 ESR/ESL，将自谐振频率逼近物理极限。 2. 协同 Fab 及先进封装工艺团队，开展 ALD 沉积、深沟槽刻蚀等前 / 后道工艺联合仿真，评估工艺容差与偏差；完成电‑热‑力学多物理场耦合仿真，预测击穿电压、热应力形变、漏电流，从设计端指导版图与制造流程优化。 3. 开展芯片焊盘、金丝键合、微凸点、转接板 / RDL 交界区域 3D 全波电磁仿真；完成毫米波 100GHz + 频段反焊盘、渐变传输线优化，改善阻抗不连续性，保障高速光收发系统信号完整性。 4. 提取交付高精度超宽带 S 参数、高阶分布式 SPICE、3D Component 模型；配合测试团队完成毫米波频段测仿闭环对齐，持续提升仿真模型精度。 任职要求: 1. 微电子、电子工程、微波电磁场、半导体物理、材料工程等专业硕士及以上学历，博士优先。 2. 5 年及以上半导体研发经验，有硅基 IPD、硅电容、3D‑IC/TSV 完整流片或量产实战经历。 3. 熟悉半导体前道、先进封装工艺，掌握 HfO₂、Al₂O₃等高 K 介质材料微观高频物理特性。 4. 精通 HFSS / Cadence Clarity 3D 高频电磁仿真，具备 100GHz + 频段多尺度复杂三维模型网格划分、收敛调试实战经验。 5. 熟练使用 Virtuoso/Laker 版图工具、Calibre 物理验证；掌握 RaptorX /IRIS/eWave 片上提取工具；熟练 Keysight ADS 系统级仿真。 优先条件: 1. 有 800G/1.6T 高速光模块、CPO/SiPh 光电集成、AI 大算力芯片封装 SI/PI 优化项目经验优先。 2. 具备专利输出、技术文档编写、跨部门项目推进经验优先。