Memory电路设计专家/工程师

岗位职责： 1. 负责定制SRAM , TCAM电路设计，满足特定PPA的定制要求； 2. 负责Memory 电路设计及全流程交付； 3. 负责晶体管级电路仿真及性能验证并分析Memory的功能、性能； 4. 负责指导版图工程师优化版图布局和结构； 5. 设计Memory的 verilog功能模型并进行验证； 6. 进行IP 特性化分析及模型到硬件的参数校准； 7. 负责配合流片后的测试验证。 任职要求： 1. 微电子相关专业本科及以上学历，拥有＞8年 （设计专家）或3-5年 （设计工程师）Memory设计相关工作经验； 2. 精通先进半导体工艺制程和器件物理，熟悉Memory电路设计，包括SRAM/DRAM/Flash/RF/TCAM/ROM等； 3. 熟悉EDA仿真工具的使用包括Hspice,Spetre,HSIM,Finesim等等； 4. 了解Memory版图，熟悉Memory良率分析； 5. 具备FinFET设计经验，具备Memory Characterization经验，具备Memory测试经验,具备Memory Testchip经验优先； 6. 具备标准单元库或模拟电路设计经验可以考虑。 工作城市：上海、成都、西安、深圳等。