器件研发工程师（半导体激光器/vcsel/pd）

岗位职责： 1、负责VCSEL与PD器件结构设计与仿真优化，覆盖外延结构、微透镜集成，围绕阈值电流、斜率效率、响应度、带宽等指标迭代设计； 2、负责器件工艺开发，对接代工厂确认工艺能力、设计规则与偏差，输出并维护设计规则与版图要求； 3、主导流片全流程计划与批次跟踪，分析工艺异常与良率问题，推动工艺优化； 4、定义器件与driver IC键合界面规格，协同封装与工艺团队确定键合工艺窗口； 5、参与晶圆级与器件级测试方案制定，分析L-I-V、光谱、近场光斑、调制带宽、噪声等数据，建立设计与工艺关联，形成开发闭环； 6、负责量产工艺窗口确认、良率提升与可靠性验证，组织失效分析，完成产品规格冻结与定型文档。 任职要求： 1、光学工程、微电子、物理、半导体材料等相关专业硕士及以上学历，3年以上VCSEL或PD器件设计与流片经验； 2、具备扎实的半导体物理与器件物理基础，掌握VCSEL与光电探测器光电转换机制与结构限制； 3、熟练使用Lumerical、Crosslight、FDTD等仿真工具，能独立完成器件级仿真与参数优化； 4、熟悉GaAs或InP化合物半导体全工艺流程，覆盖外延、光刻、刻蚀、金属化与钝化； 5、有直接对接代工厂并主导流片经验，熟悉设计规则检查与工艺偏差处理； 6、熟悉L-I-V、光谱、调制带宽、相对强度噪声、眼图等测试方法，具备测试数据分析能力。 加分项： ---有VCSEL或背面出光器件设计与流片经验； ---有面阵或多通道阵列器件（千通道级以上）设计与量产经验； ---有倒装键合、TSV或光互连器件集成经验。