２０２７Ｔ－６　酸化ガリウムデバイスの測定・評価技術に関

仕事内容

【酸化ガリウムデバイスの測定・評価技術に関する研究開発支援】

新規ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を中

心とした電子デバイスの研究開発において、デバイスの電気特性（

ＤＣ／ＲＦ）評価、精密な温度分布測定、熱抵抗評価等の測定・評

価を主に担当する。あわせて、評価用試料の作製（クリーンルーム

でのデバイスプロセスを含む）、測定系の構築・保守、測定データ

の解析及びシミュレーション結果との比較を担当する。また、実験

装置の運用管理、実験データの整理・管理、外部施設の利用等、研

究室が実施する研究開発に係る技術業務を担当する。

※業務の変更範囲：変更なし

就業時間

フレックスタイム制（コアタイム無し）

５時ー２２時の間の８時間３０分勤務（１時間の休憩を含む）

求人に関する特記事項

【応募方法】応募書類を東京・小金井の住所に郵送または以下ＵＲ

Ｌよりご応募ください。メールアドレスがあれば履歴書に記載をお

願いします。選考終了後速やかに廃棄処理致します。応募締切：令

和８年１１月３０日必着＊応募前に必ず当機構の採用ページ（以下

ＵＲＬ）にて公募情報をご確認下さい。【ＵＲＬ】ｈｔｔｐｓ：／

／ｗｗｗ．ｎｉｃｔ．ｇｏ．ｊｐ／ｅｍｐｌｏｙｍｅｎｔ／ａｐｐ

ｌｙ．ｈｔｍｌ＊年次有給休暇の付与は法定どおり＊質問等がなけ

れば事前電話連絡は不要です。

【必要な経験知識・技能等続き】■デバイスの作製及び解析に関す

る業務にも従事できることクリーンルーム内での実験業務（立ち作

業を含む）に従事できること■英語で書かれた技術文書・マニュア

ルの読解に抵抗がないこと【あれば望ましい】■ＤＣ／ＲＦ特性評

価、熱特性・熱抵抗評価の経験■温度計測、赤外・ラマン等の計測

技術の経験■顕微鏡下での微細試料（ ｕｍオーダー）の操作・測

定の経験■クリーンルームでの半導体デバイスプロセス経験■半導

体デバイスに関する研究開発又は製品開発の経験ワイドギャップ半

導体（ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｇａ２Ｏ３等）に関する知識■外国籍研究

員を含むチーム内での英語による日常的なコミュニケーション能力

（流暢な会話力は問わない）■学会発表、論文投稿又は特許出願の

経験

選考に関する特記事項

選考結果は、応募締切後２ヵ月以内にＥメールにて通知。

（メールアドレスが無い方へは書面で通知）