光電融合基板（光デバイス技術）の研究開発者

【勤務形態】

正社員

【募集部署】

デバイステクノロジーセンタ

【募集背景】

NTT研究所では、石英系導波路デバイスの設計・作製・評価技術をコアコンピタンスとして、これまで光スイッチや合分波フィルタ等の様々な通信用デバイスを実用化しています。

NTTの推進する光電融合デバイス(PEC)による省電力大容量接続において、これをプラットフォームとして支える基板技術に石英系の導波路デバイス技術を展開し、その低誘電率性を活かした高周波配線との融合の検討を進めており、同分野の研究開発を第1線で推進できる方の採用を希望しています。

【業務概要】

NTT研究所で新たな基盤技術として立ち上げる光電融合基板の実現において鍵となる、光デバイスを含む基板の仕様検討、回路設計、試作、評価等、また高周波配線技術に関連した業務も想定しております。開発した光デバイス・基板技術は、AIサーバのスケールアップ技術に資する光電融合デバイスの基盤技術としての適用を想定し、グループ会社等にて量産化を行います。

【得られる経験、スキル】

新分野として立ち上げる光電融合デバイス向けの基板技術に関する仕様検討、回路設計、試作、評価等を行って頂きます。業務を通じて、光デバイス/光電融合(PEC)デバイスに関する広範な知識、経験を得られます。また、仕様検討を通じて、光通信・光通信用デバイス等に関する知識も獲得できます。

通信用光デバイスに関するスペシャリストとの共同作業を通じて、研究開発スペシャリストとして活躍できるほか、若手社員との共同作業やプロダクト化経験を通じて、研究開発マネージャへの道も開かれています。

【一緒に働くチーム構成、業務環境など】

ガラス系導波路デバイスの研究者が多く所属するチームです。各種シミュレーション環境、プロトタイプ作製装置、測定評価装置を使用できます。研究所内の光半導体関連の研究者、デバイス製造設備を保有するグループ会社とも連携して研究開発を進めます。

応募資格

【必須（MUST）】

・ネイティブレベルの日本語能力

及び

・電磁気、化学、機械、計測等の工学分野のいずれかないし複数の基礎知識。

・電子・光デバイスに関する設計・製造等の実務経験。

・特許、論文の執筆経験。

【歓迎（WANT）】

・高周波配線設計に応用可能なシミュレーション・設計（・製造）等の実務経験。

・TOEIC 730点以上

【給与】

年収レンジ：800～1,470万円

賞与：年2回（6月・12月）

手当：住宅補助費（上記に年48～62万円を加算、35歳まで）

初年度の具体額は選考を通じて決定し、入社後は業績・評価によって変動します。

【研修・キャリアアップ制度】

博士号取得支援制度（3年間で上限500万円支給）、海外研修（大学・研究機関派遣）、NTTグループ企業との交流、国内/海外MOT研修、自己啓発支援制度（専門知識・マネジメント・語学等）等

【勤務地】

厚木研究開発センタ

リモートワーク実施率 0～50%

実験・評価中心の業務のため、出社率が高めのグループです。

【勤務時間】

主にフレックスタイム制または裁量労働制

※フレックスタイム制（コアタイムを設定しないスーパーフレックスタイム制）：最低勤務時間 3時間／日、基準労働時間 7.5時間／日

※裁量労働制：みなし労働時間 7.5時間／日（1日あたり30分以上の就業が必要）

【諸手当】

裁量研究開発手当、住宅補助費、子育て・介護手当など

【加入保険等】

健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 等

【休暇】

完全週休2日制（土・日）、祝日、GW・夏季・年末年始休暇、有給年次休暇（年間20日）、特別休暇（結婚・出産等）、ライフプラン休暇 等

【試用期間】

なし

【受動喫煙対策】

屋内原則禁煙

【経験者採用比率】

正規雇用労働者の経験者採用比率（新卒を含む全採用者数に対する比率）

・2023年度：46%

・2024年度：45%

・2025年度：37%

※労働施策総合推進法に基づく中途採用比率の公表

公表日：2026年4月1日

【応募方法】

3年以上の職務経歴をお持ちの方は、ページ上部の「応募」ボタンから下記の情報をお送りください。

・履歴書（高校卒業以降から学歴をご記載ください）

・職務経歴書

書類審査を通過された方には、2週間以内に次の選考に向けたご連絡をさせていただきます。

（ご登録のメールアドレス宛に連絡差し上げます。）

尚、お送りいただいた応募書類はご返却いたしませんのであらかじめご了承ください。

また、応募書類は所定の期間経過後に適切な方法で廃棄し、以後弊社にて個人情報を保管、取り扱うことはございません。