私たちは、住友電気工業のグループ会社として、化合物半導体を用いた情報通信用デバイスの開発・製造を担っています。化合物半導体は、従来のシリコン半導体に比べ、高速動作や低消費電力、高耐圧といった優れた特性を持っており、現代社会のデジタル・インフラを維持する上で欠かせない最先端の素材です

当社が製造している半導体デバイスは、大きく2種類あります。ひとつは「電波を扱う半導体（高周波・電子デバイス）」で、5G基地局など無線通信の心臓部に使われています。もうひとつが「光でデータを伝送する半導体（光通信用デバイス）」で、光ファイバー通信やデータセンター間の大容量通信を支えています。

いずれの領域も、これからの通信社会に不可欠な基盤技術であり、当社はその両輪で事業を展開しています。

企業概要・事業内容

GaN HEMTの量産を世界で初めて実現し、5G基地局向けグローバルシェアを持つ化合物半導体デバイスの専業メーカーです。住友電工100％子会社として、エピウエハから最終モジュールまでの一貫生産体制を国内2拠点（横浜・山梨）に構え、電子デバイスと光デバイスの両軸を一社で担う世界唯一のデバイスメーカーとして知られています。

電子デバイス事業では、携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）を中核プロダクトとして、無線通信インフラを支えています。2007年に世界で初めてGaN HEMTの量産製品化に成功して以来、欧州・中国の主要基地局ベンダー様向けに製品を供給してまいりました。

MOCVDによるエピ成長から前工程・後工程・モジュール組立まで社内完結できる、垂直統合された技術基盤が競争優位の源泉です。

参考URL

会社HP：https://www.sedi.co.jp

事業紹介(住友電工id誌)：https://sei.co.jp/id/2020/06/project/id02.html

事業紹介(住友電工id誌・パッケージ)：https://sei.co.jp/id/2020/06/project/id04.html

GaN HEMT技術(住友電工テクニカルレビュー第203号特別論文)：https://sumitomoelectric.com/jp/sites/japan/files/2023-07/download_documents/J203-02.pdf

グループ企業紹介：https://sumitomoelectric.com/jp/company/office_group_companies/sumitomo-electric-device-innovations-inc

募集背景

当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。

GaN HEMTの高出力化・高周波化に伴い、これを収容する高周波パッケージの材料・構造・製造技術が製品競争力を左右する重要領域となっています。ポスト5G時代の基地局市場拡大に対応し、本領域を担うスペシャリストの方を募集いたします。

仕事内容

ポジション概要

携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。

具体的な仕事内容

■主な業務

・高周波パッケージの開発（材料選定、構造設計、熱設計、高周波特性維持）

・パッケージ製造装置の選定／導入／立ち上げ

・試作・製造立ち上げ、製造工程の問題に対する改善検討

・機構部品の信頼性試験、解析

・CAD等による作図

■扱う技術領域

・パッケージ材料：高熱伝導セラミック（AlN等）、銅タングステン、銅モリブデン等のメタル系放熱基板材料

・パッケージ構造：高周波特性を維持する構造設計、熱マネジメント、小型化設計

・製造プロセス：接合、封止、実装、信頼性評価

・応用：ポスト5G向けGaN HEMTパッケージ

(変更の範囲: 会社の定める業務)

期待する役割・ミッション

半導体パッケージ開発または類似領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。

キャリアパス

入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMT向け高周波パッケージの開発に深く関わっていただきます。電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。

組織構成

電子デバイス事業部電子デバイス第一開発部

高周波パッケージ開発、顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、高周波パッケージ開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。

30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。

本ポジションの魅力

■技術面

・GaN HEMTの進化に合わせ、高周波パッケージの材料・構造・製造技術が重要度を増している領域で、技術開発に関われます。

・世界で初めてGaN HEMTを量産製品化した実績を持つ組織で、高周波パッケージ技術の開発に携われます。

・材料、熱設計、高周波特性、機構設計、製造プロセスを横断する、多面的な技術チャレンジのある仕事です。

■環境・ポジション面

・国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。

・住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。

応募資格

必須条件（MUST)

下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方

・半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装の設計・開発経験

・高周波パッケージまたは高出力トランジスタ用パッケージの開発経験

・パッケージ製造装置の選定／導入／立ち上げ経験

・熱設計、機構設計、信頼性試験の実務経験

歓迎条件（WANT)