CW激光器研发高级工程师

工作内容： 1、负责1310nm CW 高功率激光器芯片的波导结构、能带、光场分布等物理设计、仿真与优化。 2、负责DFB激光器光栅结构的设计与仿真，优化单模的特性、边模抑制比（SMSR）等关键指标。 3、使用专业软件（如 Crosslight、LaserMOD、Lumerical 等）进行模拟，为外延生长和工艺制造提供设计版图与规范。 4、 主导或参与InP基激光器芯片的完整工艺流片，包括光刻、干法/湿法刻蚀、介质膜沉积、金属化、减薄、抛光、解理/镀膜等关键工艺模块的开发与优化。 5、 解决工艺中出现的各种问题，如模式激射异常、阈值电流过高、斜率效率低下、可靠性失效等，进行根因分析并提出解决方案。 6、 编写详细的工艺流程文件、操作规范（SOP）和工艺控制计划。 7、 建立和完善激光器芯片的性能测试平台，主导芯片的L-I-V、光谱、远场、线宽、RIN等关键光电参数的测试与数据分析。 8、制定可靠性测试方案（老化、温循、高温高湿等），进行失效分析，评估芯片寿命，并提出改进建议。 9、 与外延、封装、测试、产品等多个团队紧密合作，确保芯片从设计到产品的顺利转化。 10、 负责或参与相关研发项目的技术路线规划、进度跟踪与报告撰写。 12、 关注行业技术动态，进行专利布局与技术文档撰写。 任职要求： 1、 硕士及以上学历，微电子、光电子、半导体物理、材料科学、光学工程等相关专业。 2、 深入理解半导体激光器工作原理，具有1310nm CW DF实际研发或流片经验。 3、具有良好的团队协作精神、沟通能力和项目推动能力。 4、工作严谨细致，有高度的责任心和质量意识。